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0.48毫欧、十亿分之一失效率：安世中国车规MOSFET的硬核答卷

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在车规功率器件领域，导通内阻和失效率是两条生命线。安世中国最新车规MOSFET，40V导通内阻最低做到0.48毫欧，较上代优化超50%；80V最低1.3毫欧，下降45%；100V低至0.99毫欧，可实现460A以上安全电流。全系列失效率控制在十亿分之一（PPB）级别，2000小时温度循环板级可靠性行业领先。

这背后，是12英寸车规高压MOSFET的空白填补。安世中国推出的12英寸SGT T2X车规MOSFET与高速HCS逻辑，填补了12寸车规高压MOSFET的空白，已发布19款40到100V车规MOSFET，产品矩阵覆盖整车低压电气平台的完整国产替代需求。

技术领先必然带来成本领先。12英寸晶圆单片有效芯片产出相对5寸提升约5.7倍、相对6寸约4倍、相对8寸约2.2到2.4倍；单颗芯片成本相比5寸下降约70%、相比6寸下降约60%、相比8寸下降50%。成本下降来自规模效应、全自动化良率提升与供应链本土化三个环节。

同时，MOSFET已实现中国区供应链闭环，国产化率从不足20%提升至近100%，国产晶圆本土直供、主供加备选双源保障，交期从海外12到16周缩至国内4到6周。

对车企而言，一颗颗PPB级别的MOSFET，意味着整车电气架构的稳定与安全；对安世中国而言，19款车规产品、十亿分之一的失效率，是国产功率器件从”能用”走向”好用”最硬的注脚。

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